SIHFP250 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHFP250
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 140 nC
trⓘ - Время нарастания: 86 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
SIHFP250 Datasheet (PDF)
sihfp250.pdf
IRFP250, SiHFP250Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 140COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 28 Ease of ParallelingQgd (nC) 74 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli
irfp250 sihfp250.pdf
IRFP250, SiHFP250Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 140COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 28 Ease of ParallelingQgd (nC) 74 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli
irfp254n sihfp254n.pdf
IRFP254N, SiHFP254NVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 250 Dynamic dV/dt RatingAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.125 175 C Operating TemperatureRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 100 Fully Avalanche RatedQgs (nC) 17 Fast SwitchingQgd (nC) 44 Ease of Paralleling Simple Drive RequirementsCo
irfp254 sihfp254.pdf
IRFP254, SiHFP254Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.14RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 71 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia
sihfp254.pdf
IRFP254, SiHFP254Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.14RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 71 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918