SIHFP250 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFP250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFP250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP250 даташит

 ..1. Size:1459K  vishay
 sihfp250.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP250, SiHFP250 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 28 Ease of Paralleling Qgd (nC) 74 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

 ..2. Size:1453K  vishay
 irfp250 sihfp250.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP250, SiHFP250 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 28 Ease of Paralleling Qgd (nC) 74 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

 7.1. Size:155K  vishay
 irfp254n sihfp254n.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP254N, SiHFP254N Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Advanced Process Technology VDS (V) 250 Dynamic dV/dt Rating Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.125 175 C Operating Temperature RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 100 Fully Avalanche Rated Qgs (nC) 17 Fast Switching Qgd (nC) 44 Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Co

 7.2. Size:1519K  vishay
 irfp254 sihfp254.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP254, SiHFP254 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.14 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Ease of Paralleling Qgd (nC) 71 Simple Drive Requirements Configuration Single Complia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF820B, IRF820L, IRF820LPBF, IRF820PBF, IRF820SPBF, SIHFP23N50L, SIHFP240, SIHFP244, 2SK3878, SIHFP254, SIHFP260, SIHFP264, SIHFP26N60L, SIHFP27N60K, SIHFP31N50L, SIHFP32N50K, SIHFP340