Справочник MOSFET. SIHFP250

 

SIHFP250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFP250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1459K  vishay
 sihfp250.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP250, SiHFP250Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 140COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 28 Ease of ParallelingQgd (nC) 74 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

 ..2. Size:1453K  vishay
 irfp250 sihfp250.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP250, SiHFP250Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 140COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 28 Ease of ParallelingQgd (nC) 74 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

 7.1. Size:155K  vishay
 irfp254n sihfp254n.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP254N, SiHFP254NVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 250 Dynamic dV/dt RatingAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.125 175 C Operating TemperatureRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 100 Fully Avalanche RatedQgs (nC) 17 Fast SwitchingQgd (nC) 44 Ease of Paralleling Simple Drive RequirementsCo

 7.2. Size:1519K  vishay
 irfp254 sihfp254.pdf pdf_icon

SIHFP250

IRFP254, SiHFP254Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.14RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 71 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STK12N05L | AP2306CGN-HF | IRF9540NL | SSM3J351R | APT58M50JCU3 | IRLR024A | ZVN4310GTC

 

 
Back to Top

 


 
.