SIHFP27N60K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFP27N60K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFP27N60K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP27N60K даташит

 ..1. Size:179K  vishay
irfp27n60k sihfp27n60k.pdfpdf_icon

SIHFP27N60K

IRFP27N60K, SiHFP27N60K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.18 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 56 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 86 and Current Co

 ..2. Size:183K  vishay
irfp27n60k irfp27n60kpbf sihfp27n60k.pdfpdf_icon

SIHFP27N60K

IRFP27N60K, SiHFP27N60K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.18 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 56 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 86 and Current Co

 8.1. Size:1459K  vishay
sihfp250.pdfpdf_icon

SIHFP27N60K

IRFP250, SiHFP250 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 28 Ease of Paralleling Qgd (nC) 74 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

 8.2. Size:192K  vishay
irfp26n60l irfp26n60lpbf sihfp26n60l.pdfpdf_icon

SIHFP27N60K

IRFP26N60L, SiHFP26N60L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 600 Available External Diodes in ZVS Applications RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.21 RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Requirements Qgs (nC) 61 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

Другие IGBT... SIHFP23N50L, SIHFP240, SIHFP244, SIHFP250, SIHFP254, SIHFP260, SIHFP264, SIHFP26N60L, IRLB4132, SIHFP31N50L, SIHFP32N50K, SIHFP340, SIHFP350, SIHFP350LC, SIHFP360, SIHFP360LC, SIHFP440