Справочник MOSFET. SIHFP350LC

 

SIHFP350LC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHFP350LC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
   trⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

 Аналог (замена) для SIHFP350LC

 

 

SIHFP350LC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1307K  vishay
 sihfp350lc.pdf

SIHFP350LC SIHFP350LC

IRFP350LC, SiHFP350LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400Available Reduced Gate Drive RequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30 Enhanced 30V VGS RatingRoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 76 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 20 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 37 Repetitive Av

 ..2. Size:1303K  vishay
 irfp350lc sihfp350lc.pdf

SIHFP350LC SIHFP350LC

IRFP350LC, SiHFP350LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400Available Reduced Gate Drive RequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30 Enhanced 30V VGS RatingRoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 76 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 20 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 37 Repetitive Av

 6.1. Size:1580K  vishay
 sihfp350.pdf

SIHFP350LC SIHFP350LC

IRFP350, SiHFP350Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 150 Fast SwitchingQgs (nC) 23 Ease of ParallelingQgd (nC) 80 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

 6.2. Size:1574K  vishay
 irfp350 sihfp350.pdf

SIHFP350LC SIHFP350LC

IRFP350, SiHFP350Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 150 Fast SwitchingQgs (nC) 23 Ease of ParallelingQgd (nC) 80 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

 6.3. Size:1579K  infineon
 irfp350 sihfp350.pdf

SIHFP350LC SIHFP350LC

IRFP350, SiHFP350Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 150 Fast SwitchingQgs (nC) 23 Ease of ParallelingQgd (nC) 80 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

 6.4. Size:260K  inchange semiconductor
 sihfp350.pdf

SIHFP350LC SIHFP350LC

isc N-Channel MOSFET Transistor SiHFP350FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 400 VDSSV Gate

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top