SIHFP360 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFP360

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFP360

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP360 даташит

 ..1. Size:1001K  vishay
sihfp360.pdfpdf_icon

SIHFP360

IRFP360, SiHFP360 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 400 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 210 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 30 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Configuration Single Simple Drive Requirements Complia

 ..2. Size:995K  vishay
irfp360 sihfp360.pdfpdf_icon

SIHFP360

IRFP360, SiHFP360 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 400 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 210 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 30 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Configuration Single Simple Drive Requirements Complia

 ..3. Size:999K  infineon
irfp360 sihfp360.pdfpdf_icon

SIHFP360

IRFP360, SiHFP360 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 400 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 210 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 30 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Configuration Single Simple Drive Requirements Complia

 0.1. Size:1037K  vishay
sihfp360lc.pdfpdf_icon

SIHFP360

IRFP360LC, SiHFP360LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, Crss Qg (Max.) (nC) 110 Isolated Central Mounting Hole Qgs (nC) 28 Dynamic dV/dt Rated Qgd (nC) 45 Repetitive A

Другие IGBT... SIHFP264, SIHFP26N60L, SIHFP27N60K, SIHFP31N50L, SIHFP32N50K, SIHFP340, SIHFP350, SIHFP350LC, SKD502T, SIHFP360LC, SIHFP440, SIHFP448, SIHFP460N, SIHFP9140, SIHFP9240, SIHFPC40, SIHFPC50