SIHFPC40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFPC40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFPC40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPC40 даташит

 ..1. Size:1471K  vishay
irfpc40 sihfpc40.pdfpdf_icon

SIHFPC40

IRFPC40, SiHFPC40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* COMPLIANT Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 60 Fast Switching Qgs (nC) 8.3 Ease of Paralleling Qgd (nC) 30 Simple Drive Requirements Configuration Single Lead (P

 ..2. Size:1495K  vishay
sihfpc40.pdfpdf_icon

SIHFPC40

IRFPC40, SiHFPC40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 60 Fast Switching Qgs (nC) 8.3 Ease of Paralleling Qgd (nC) 30 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant

 ..3. Size:1494K  infineon
irfpc40 sihfpc40.pdfpdf_icon

SIHFPC40

IRFPC40, SiHFPC40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 60 Fast Switching Qgs (nC) 8.3 Ease of Paralleling Qgd (nC) 30 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant

 8.1. Size:658K  vishay
sihfpc60lc.pdfpdf_icon

SIHFPC40

IRFPC60LC, SiHFPC60LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 600 Available Reduced Gate Drive Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, Crss Qg (Max.) (nC) 120 Isolated Central Mounting Hole Qgs (nC) 29 Dynamic dV/dt Rated Qgd (nC) 48 Repetitive

Другие IGBT... SIHFP350LC, SIHFP360, SIHFP360LC, SIHFP440, SIHFP448, SIHFP460N, SIHFP9140, SIHFP9240, IRFB3607, SIHFPC50, SIHFPC50A, SIHFPC50LC, SIHFPC60, SIHFPC60LC, SIHFPE30, SIHFPE40, SIHFPE50