Справочник MOSFET. SIHFPC50

 

SIHFPC50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFPC50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для SIHFPC50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPC50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1457K  vishay
 irfpc50 sihfpc50.pdf pdf_icon

SIHFPC50

IRFPC50, SiHFPC50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 20 Ease of ParallelingQgd (nC) 69 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia

 ..2. Size:1463K  vishay
 sihfpc50.pdf pdf_icon

SIHFPC50

IRFPC50, SiHFPC50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 20 Ease of ParallelingQgd (nC) 69 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia

 ..3. Size:1461K  infineon
 irfpc50 sihfpc50.pdf pdf_icon

SIHFPC50

IRFPC50, SiHFPC50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 20 Ease of ParallelingQgd (nC) 69 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia

 0.1. Size:602K  vishay
 sihfpc50lc.pdf pdf_icon

SIHFPC50

IRFPC50LC, SiHFPC50LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 600 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS* Reduced Ciss, Coss, CrssCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 18 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 36 Repetitive

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFP360 , SIHFP360LC , SIHFP440 , SIHFP448 , SIHFP460N , SIHFP9140 , SIHFP9240 , SIHFPC40 , IRLZ44N , SIHFPC50A , SIHFPC50LC , SIHFPC60 , SIHFPC60LC , SIHFPE30 , SIHFPE40 , SIHFPE50 , SIHFPF30 .

 

 
Back to Top

 


 
.