Справочник MOSFET. SIHFPC50LC

 

SIHFPC50LC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFPC50LC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPC50LC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  vishay
 sihfpc50lc.pdf pdf_icon

SIHFPC50LC

IRFPC50LC, SiHFPC50LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 600 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS* Reduced Ciss, Coss, CrssCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 18 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 36 Repetitive

 ..2. Size:597K  vishay
 irfpc50lc sihfpc50lc.pdf pdf_icon

SIHFPC50LC

IRFPC50LC, SiHFPC50LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 600 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS* Reduced Ciss, Coss, CrssCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 18 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 36 Repetitive

 6.1. Size:1457K  vishay
 irfpc50 sihfpc50.pdf pdf_icon

SIHFPC50LC

IRFPC50, SiHFPC50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 20 Ease of ParallelingQgd (nC) 69 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia

 6.2. Size:1463K  vishay
 sihfpc50.pdf pdf_icon

SIHFPC50LC

IRFPC50, SiHFPC50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 140 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 20 Ease of ParallelingQgd (nC) 69 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.