Справочник MOSFET. SIHFPS43N50K

 

SIHFPS43N50K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFPS43N50K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 350 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SUPER-247
 

 Аналог (замена) для SIHFPS43N50K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPS43N50K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  vishay
 irfps43n50k irfps43n50kpbf sihfps43n50k.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS43N50K, SiHFPS43N50KVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.078 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 350COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 180and Current

 ..2. Size:170K  vishay
 irfps43n50k sihfps43n50k.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS43N50K, SiHFPS43N50KVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.078 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 350COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 180and Current

 7.1. Size:187K  vishay
 irfps40n50l irfps40n50lpbf sihfps40n50l.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS40N50L, SiHFPS40N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS Applications AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.087RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler DriveQg (Max.) (nC) 380COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 80 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 7.2. Size:178K  vishay
 irfps40n60k sihfps40n60k.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS40N60K, SiHFPS40N60KVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.110RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 330RuggednessQgs (nC) 84 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 150and Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFPF50 , SIHFPG30 , SIHFPG40 , SIHFPG50 , SIHFPS37N50A , SIHFPS38N60L , SIHFPS40N50L , SIHFPS40N60K , 7N60 , SIHFR010 , SIHFR014 , SIHFR020 , SIHFR024 , SIHFR110 , SIHFR120 , SIHFR1N60A , SIHFR210 .

History: BSS138D87Z

 

 
Back to Top

 


 
.