SIHFPS43N50K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFPS43N50K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SUPER-247

Аналог (замена) для SIHFPS43N50K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPS43N50K даташит

 ..1. Size:171K  vishay
 irfps43n50k irfps43n50kpbf sihfps43n50k.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS43N50K, SiHFPS43N50K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.078 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 350 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 180 and Current

 ..2. Size:170K  vishay
 irfps43n50k sihfps43n50k.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS43N50K, SiHFPS43N50K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.078 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 350 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 180 and Current

 7.1. Size:187K  vishay
 irfps40n50l irfps40n50lpbf sihfps40n50l.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS40N50L, SiHFPS40N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 500 External Diodes in ZVS Applications Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.087 RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Qg (Max.) (nC) 380 COMPLIANT Requirements Qgs (nC) 80 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 7.2. Size:178K  vishay
 irfps40n60k sihfps40n60k.pdf pdf_icon

SIHFPS43N50K

IRFPS40N60K, SiHFPS40N60K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.110 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 330 Ruggedness Qgs (nC) 84 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 150 and Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFPF50, SIHFPG30, SIHFPG40, SIHFPG50, SIHFPS37N50A, SIHFPS38N60L, SIHFPS40N50L, SIHFPS40N60K, AO3407, SIHFR010, SIHFR014, SIHFR020, SIHFR024, SIHFR110, SIHFR120, SIHFR1N60A, SIHFR210