SIHFU120 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFU120
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для SIHFU120
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFU120 даташит
irfr120pbf irfu120pbf sihfr120 sihfu120.pdf
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120) Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and Reel Q
irfr120 irfu120 sihfr120 sihfu120.pdf
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120) Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and Reel Q
irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing
irfu110 sihfu110.pdf
IRFU110, SiHFU110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 Straight Lead Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 2.3 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 3.8 Fast Switching Configuration Single Ease of Parallel
Другие IGBT... SIHFS11N50A, SIHFS9N60A, SIHFSL11N50A, SIHFSL9N60A, SIHFU014, SIHFU020, SIHFU024, SIHFU110, IRF540N, SIHFU1N60A, SIHFU210, SIHFU214, SIHFU220, SIHFU224, SIHFU310, SIHFU320, SIHFU420
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330






