SIHFU1N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFU1N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SIHFU1N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFU1N60A даташит

 ..1. Size:244K  vishay
 irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

SIHFU1N60A

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

 ..2. Size:269K  vishay
 irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

SIHFU1N60A

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

 8.1. Size:2013K  vishay
 irfr120pbf irfu120pbf sihfr120 sihfu120.pdf pdf_icon

SIHFU1N60A

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120) Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and Reel Q

 8.2. Size:1989K  vishay
 irfr120 irfu120 sihfr120 sihfu120.pdf pdf_icon

SIHFU1N60A

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120) Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and Reel Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFS9N60A, SIHFSL11N50A, SIHFSL9N60A, SIHFU014, SIHFU020, SIHFU024, SIHFU110, SIHFU120, IRF540, SIHFU210, SIHFU214, SIHFU220, SIHFU224, SIHFU310, SIHFU320, SIHFU420, SIHFU420A