SIHFZ48 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHFZ48 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHFZ48
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHFZ48

SIHFZ48 Datasheet (PDF)

..1. Size:1517K vishay
irfz48 irfz48pbf sihfz48.pdf

IRFZ48, SiHFZ48Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 RoHS* Ultra Low On-ResistanceCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Very Low Thermal ResistanceQgs (nC) 29 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 36 Fast SwitchingConfiguration Single E

0.1. Size:377K vishay
irfz48l irfz48s sihfz48l sihfz48s.pdf

IRFZ48S, IRFZ48L, SiHFZ48S, SiHFZ48LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Surface Mount (IRFZ48S, SiHFZ48S)Qg (Max.) (nC) 110 Low-Profile Through-Hole (IRFZ48L, SiHFZ48L)Qgs (nC) 29 175 C Operating TemperatureQgd (nC)

0.2. Size:1059K vishay
irfz48r sihfz48r.pdf

IRFZ48R, SiHFZ48RVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 60Available Ultra Low On-ResistanceRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dt Rating RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating Temperature Fast SwitchingQgs (nC) 29 Fully Avalanche RatedQgd (nC) 36 Drop in Replacement of the SiH

0.3. Size:228K vishay
irfz48rl irfz48rlpbf irfz48rs irfz48rspbf sihfz48rl sihfz48rs.pdf

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si

0.4. Size:1061K vishay
irfz48r irfz48rpbf sihfz48r.pdf