SIHFZ48R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIHFZ48R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SIHFZ48R
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFZ48R даташит
irfz48r sihfz48r.pdf
IRFZ48R, SiHFZ48R Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Advanced Process Technology VDS (V) 60 Available Ultra Low On-Resistance RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dt Rating RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 110 175 C Operating Temperature Fast Switching Qgs (nC) 29 Fully Avalanche Rated Qgd (nC) 36 Drop in Replacement of the SiH
irfz48r irfz48rpbf sihfz48r.pdf
IRFZ48R, SiHFZ48R Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Advanced Process Technology VDS (V) 60 Available Ultra Low On-Resistance RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dt Rating RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 110 175 C Operating Temperature Fast Switching Qgs (nC) 29 Fully Avalanche Rated Qgd (nC) 36 Drop in Replacement of the SiH
irfz48rl irfz48rlpbf irfz48rs irfz48rspbf sihfz48rl sihfz48rs.pdf
IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RL Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 110 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 29 Fast Switching Qgd (nC) 36 Fully Avalanche Rated Configuration Si
irfz48rs irfz48rl sihfz48rs sihfz48rl.pdf
IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RL Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 110 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 29 Fast Switching Qgd (nC) 36 Fully Avalanche Rated Configuration Si
Другие IGBT... SIHFZ34S, SIHFZ40, SIHFZ44, SIHFZ44L, SIHFZ44R, SIHFZ44S, SIHFZ48, SIHFZ48L, 5N65, SIHFZ48RL, SIHFZ48RS, SIHFZ48S, SIHG14N50D, SIHG16N50C, SIHG17N60D, SIHG20N50C, SIHG20N50E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140






