SIHL520. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHL520

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHL520

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHL520 даташит

 ..1. Size:1082K  vishay
irl520 sihl520.pdfpdf_icon

SIHL520

IRL520, SiHL520 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.27 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 3.0 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 7.1 Fast Switching Configuration Si

 ..2. Size:1084K  vishay
irl520pbf sihl520.pdfpdf_icon

SIHL520

IRL520, SiHL520 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.27 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 3.0 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 7.1 Fast Switching Configuration Si

 0.1. Size:327K  vishay
irl520l sihl520l.pdfpdf_icon

SIHL520

IRL520L, SiHL520L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.27 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 12 Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 7.1 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operatin

 0.2. Size:237K  vishay
irl520lpbf sihl520l.pdfpdf_icon

SIHL520

IRL520L, SiHL520L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.27 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 12 Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 7.1 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operatin

Другие IGBT... SIHG64N65E, SIHG73N60E, SIHH11N60E, SIHH14N60E, SIHH21N60E, SIHH26N60E, SIHL510, SIHL510S, 7N60, SIHL520L, SIHL530, SIHL530S, SIHL540, SIHL540S, SIHL620, SIHL620S, SIHL630