SIHL530S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHL530S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHL530S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHL530S даташит

 ..1. Size:301K  vishay
irl530s sihl530s.pdfpdf_icon

SIHL530S

IRL530S, SiHL530S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 100 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.16 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 28 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 3.8 Logic Level Gate Drive Qgd (nC) 14 RDS(on) Specified at VGS = 4 V

 ..2. Size:275K  vishay
irl530s sihl530s.pdfpdf_icon

SIHL530S

IRL530S, SiHL530S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 100 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.16 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 28 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 3.8 Logic Level Gate Drive Qgd (nC) 14 RDS(on) Specified at VGS = 4 V

 7.1. Size:1019K  vishay
sihl530.pdfpdf_icon

SIHL530S

IRL530, SiHL530 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.16 RoHS* Logic-Level Gate Drive Qg (Max.) (nC) 28 COMPLIANT RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 14 Fast Switching Configuration Singl

 7.2. Size:996K  vishay
irl530 sihl530.pdfpdf_icon

SIHL530S

IRL530, SiHL530 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.16 RoHS* Logic-Level Gate Drive Qg (Max.) (nC) 28 COMPLIANT RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 14 Fast Switching Configuration Singl

Другие IGBT... SIHH14N60E, SIHH21N60E, SIHH26N60E, SIHL510, SIHL510S, SIHL520, SIHL520L, SIHL530, IRF830, SIHL540, SIHL540S, SIHL620, SIHL620S, SIHL630, SIHL630S, SIHL640, SIHL640S