SIHLL110. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIHLL110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для SIHLL110
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHLL110 даташит
irll110 sihll110.pdf
IRLL110, SiHLL110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface Mount VDS (V) 100 Available in Tape and Reel Available RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Dynamic dV/dt Rating RoHS* Qg (Max.) (nC) 6.1 Repetitive Avalanche Rated COMPLIANT Qgs (nC) 2.6 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 3.3 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Sin
irll110trpbf sihll110.pdf
IRLL110, SiHLL110 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 100 Available in tape and reel Dynamic dV/dt rating RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive avalanche rated Qg (Max.) (nC) 6.1 Logic-level gate drive Qgs (nC) 2.6 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V Available Qgd (nC) 3.3 Fast switching C
sihll014 irll014.pdf
IRLL014, SiHLL014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.4 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.5 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 6.0 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Fast Switching Co
irll014 sihll014.pdf
IRLL014, SiHLL014 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 60 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 Dynamic dV/dt rating Logic-level gate drive Qg max. (nC) 8.4 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 3.5 Available Fast switching Qgd (nC) 6.0 Ease of paralleling Configurat
Другие IGBT... SIHLI620G, SIHLI630G, SIHLI640G, SIHLIZ14G, SIHLIZ24G, SIHLIZ34G, SIHLIZ44G, SIHLL014, IRFZ44, SIHLR014, SIHLR024, SIHLR110, SIHLU014, SIHLU024, SIHLU110, SIHLZ14, SIHLZ14L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout





