SIHLZ14S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHLZ14S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHLZ14S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLZ14S даташит

 ..1. Size:337K  vishay
irlz14spbf sihlz14l sihlz14s.pdfpdf_icon

SIHLZ14S

IRLZ14S, IRLZ14L, SiHLZ14S, SiHLZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 Surface Mount (IRLZ14S, SiHLZ14S) Qg (Max.) (nC) 8.4 Low-Profile Through-Hole (IRLZ14L, SiHLZ14L) Qgs (nC) 3.5 175 C Operating Temperature Fast Sw

 ..2. Size:312K  vishay
irlz14s irlz14l sihlz14s sihlz14l.pdfpdf_icon

SIHLZ14S

IRLZ14S, IRLZ14L, SiHLZ14S, SiHLZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 Surface Mount (IRLZ14S, SiHLZ14S) Qg (Max.) (nC) 8.4 Low-Profile Through-Hole (IRLZ14L, SiHLZ14L) Qgs (nC) 3.5 175 C Operating Temperature Fast Sw

 7.1. Size:1084K  vishay
irlz14 sihlz14.pdfpdf_icon

SIHLZ14S

IRLZ14, SiHLZ14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Logic-Level Gate Drive RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 RoHS* Qg (Max.) (nC) 8.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V COMPLIANT Qgs (nC) 3.5 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 6.0 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling D

 7.2. Size:1086K  vishay
irlz14pbf sihlz14.pdfpdf_icon

SIHLZ14S

IRLZ14, SiHLZ14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Logic-Level Gate Drive RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 RoHS* Qg (Max.) (nC) 8.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V COMPLIANT Qgs (nC) 3.5 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 6.0 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling D

Другие IGBT... SIHLR014, SIHLR024, SIHLR110, SIHLU014, SIHLU024, SIHLU110, SIHLZ14, SIHLZ14L, IRF3710, SIHLZ24, SIHLZ24L, SIHLZ24S, SIHLZ34, SIHLZ34L, SIHLZ34S, SIHLZ44, SIHLZ44S