Справочник MOSFET. SIHLZ24L

 

SIHLZ24L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLZ24L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLZ24L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  vishay
 irlz24s irlz24l sihlz24s sihlz24l.pdf pdf_icon

SIHLZ24L

IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 60 Surface MountRDS(on) ()VGS = 5 V 0.10 Available in Tape and Reel Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 18 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 12

 ..2. Size:334K  vishay
 irlz24s irlz24l irlz24spbf irlz24lpbf sihlz24l sihlz24s.pdf pdf_icon

SIHLZ24L

IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 60 Surface MountRDS(on) ()VGS = 5 V 0.10 Available in Tape and Reel Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 18 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 12

 7.1. Size:1747K  vishay
 irlz24pbf irlz24 sihlz24.pdf pdf_icon

SIHLZ24L

IRLZ24, SiHLZ24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Logic-Level Gate DriveRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 4.5 Fast SwitchingQgd (nC) 12 Ease of ParallelingConfiguration Single

 7.2. Size:1744K  vishay
 irlz24 sihlz24.pdf pdf_icon

SIHLZ24L

IRLZ24, SiHLZ24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Logic-Level Gate DriveRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 4.5 Fast SwitchingQgd (nC) 12 Ease of ParallelingConfiguration Single

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APT12057LFLLG | STQ2HNK60ZR-AP | SFS03R01GF | JCS50N06RH | RD3H160SP | SI7456CDP | 2SK2186

 

 
Back to Top

 


 
.