Справочник MOSFET. IRLI530A

 

IRLI530A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLI530A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRLI530A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLI530A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  1
irli530a irlw530a.pdfpdf_icon

IRLI530A

 7.1. Size:933K  international rectifier
irli530g.pdfpdf_icon

IRLI530A

PD - 95030IRLI530GPbF Lead-Free2/19/04Document Number: 91311 www.vishay.com1IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com2IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com3IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com4IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com5IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com6IRLI530GPbFTO-220 Full-

 7.2. Size:144K  international rectifier
irli530n.pdfpdf_icon

IRLI530A

PD - 9.1350BIRLI530NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.10 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 12ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to ach

 7.3. Size:1533K  vishay
irli530g sihli530g.pdfpdf_icon

IRLI530A

IRLI530G, SiHLI530GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.16f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 28 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.8 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 14

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.