IRLI530A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLI530A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLI530A Datasheet (PDF)
irli530g.pdf

PD - 95030IRLI530GPbF Lead-Free2/19/04Document Number: 91311 www.vishay.com1IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com2IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com3IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com4IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com5IRLI530GPbFDocument Number: 91311 www.vishay.com6IRLI530GPbFTO-220 Full-
irli530n.pdf

PD - 9.1350BIRLI530NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.10 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 12ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to ach
irli530g sihli530g.pdf

IRLI530G, SiHLI530GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.16f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 28 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.8 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 14
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4
History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313