SIHP24N65E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHP24N65E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHP24N65E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP24N65E даташит

 ..1. Size:209K  vishay
 sihp24n65e.pdf pdf_icon

SIHP24N65E

 9.1. Size:165K  vishay
 sihp28n65e.pdf pdf_icon

SIHP24N65E

 9.2. Size:158K  vishay
 sihp20n50e.pdf pdf_icon

SIHP24N65E

SiHP20N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.184 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 92 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 10 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 19 Mater

 9.3. Size:158K  vishay
 sihp28n60ef.pdf pdf_icon

SIHP24N65E

SiHP28N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.123 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 120 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 17 Low switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHP16N50C, SIHP17N60D, SIHP18N50C, SIHP20N50E, SIHP22N60E, SIHP22N60S, SIHP22N65E, SIHP23N60E, AON7410, SIHP25N40D, SIHP25N50E, SIHP28N60EF, SIHP28N65E, SIHP30N60E, SIHP33N60E, SIHP33N60EF, SIHP5N50D