SIHP28N65E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHP28N65E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.122 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHP28N65E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP28N65E даташит

 ..1. Size:165K  vishay
 sihp28n65e.pdf pdf_icon

SIHP28N65E

 6.1. Size:158K  vishay
 sihp28n60ef.pdf pdf_icon

SIHP28N65E

SiHP28N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.123 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 120 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 17 Low switc

 9.1. Size:158K  vishay
 sihp20n50e.pdf pdf_icon

SIHP28N65E

SiHP20N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.184 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 92 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 10 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 19 Mater

 9.2. Size:209K  vishay
 sihp24n65e.pdf pdf_icon

SIHP28N65E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHP22N60E, SIHP22N60S, SIHP22N65E, SIHP23N60E, SIHP24N65E, SIHP25N40D, SIHP25N50E, SIHP28N60EF, IRFB3607, SIHP30N60E, SIHP33N60E, SIHP33N60EF, SIHP5N50D, SIHP6N40D, SIHP6N65E, SIHP7N60E, SIHP8N50D