Справочник MOSFET. FMC13N60E

 

FMC13N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMC13N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-S
 

 Аналог (замена) для FMC13N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMC13N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  fuji
 fmc13n60e.pdf pdf_icon

FMC13N60E

FMC13N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

 0.1. Size:536K  fuji
 fmc13n60es.pdf pdf_icon

FMC13N60E

FMC13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5

Другие MOSFET... FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , FMC10N60E , FMC11N60E , FMC12N50E , FMC12N50ES , FMC12N60ES , MMIS60R580P , FMC13N60ES , FMC16N50E , FMC16N50ES , FMC16N60E , FMC16N60ES , FMC20N50E , FMC20N50ES , FMC80N10T2 .

History: IRFS3107-7P | WTK9435 | NTB90N02

 

 
Back to Top

 


 
.