FMH09N90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH09N90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P-Q

Аналог (замена) для FMH09N90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH09N90E даташит

 ..1. Size:463K  fuji
 fmh09n90e.pdf pdf_icon

FMH09N90E

FMH09N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.0 0.5V)

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 fmh09n90e.pdf pdf_icon

FMH09N90E

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FMH09N90E FEATURES With TO-3PN packaging Low on-resistance Low drive current Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications DC-DC converters Uninterruptible power supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие IGBT... FMC16N60E, FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, FMH06N80E, FMH06N90E, FMH07N90E, AOD4184A, FMH11N90E, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, FMH19N60E, FMH19N60ES