FMH09N90E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMH09N90E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMH09N90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P-Q
 

 Аналог (замена) для FMH09N90E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH09N90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  fuji
 fmh09n90e.pdf pdf_icon

FMH09N90E

FMH09N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.00.5V)

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 fmh09n90e.pdf pdf_icon

FMH09N90E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMH09N90EFEATURESWith TO-3PN packagingLow on-resistanceLow drive currentEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsDC-DC convertersUninterruptible power supplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... FMC16N60E , FMC16N60ES , FMC20N50E , FMC20N50ES , FMC80N10T2 , FMH06N80E , FMH06N90E , FMH07N90E , AOD4184A , FMH11N90E , FMH13N60ES , FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES , FMH19N60E , FMH19N60ES .

 

 
Back to Top

 


 
.