FMH23N50ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH23N50ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.245 Ohm

Тип корпуса: TO-3P-Q

Аналог (замена) для FMH23N50ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH23N50ES даташит

 ..1. Size:504K  fuji
 fmh23n50es.pdf pdf_icon

FMH23N50ES

FMH23N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P (Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.5

 5.1. Size:448K  fuji
 fmh23n50e.pdf pdf_icon

FMH23N50ES

FMH23N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

 5.2. Size:256K  inchange semiconductor
 fmh23n50e.pdf pdf_icon

FMH23N50ES

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH23N50E FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-S

 8.1. Size:524K  fuji
 fmh23n60es.pdf pdf_icon

FMH23N50ES

FMH23N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.5V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, FMH19N60E, FMH19N60ES, FMH20N50E, FMH20N50ES, FMH21N50ES, IRF540, FMH23N60E, FMH23N60ES, FMH28N50E, FMH28N50ES, FMH30N60S1, FMH47N60S1, FMI03N60E, FMI05N50E