FMH28N50E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FMH28N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO-3P-Q
Аналог (замена) для FMH28N50E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FMH28N50E даташит
fmh28n50e.pdf
FMH28N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)
fmh28n50es.pdf
FMH28N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P (Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.5
fmh28n50es.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FMH28N50ES FEATURES Drain Current I 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.19 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High speed power switching Switching regulator, DC-DC conver
Другие IGBT... FMH19N60E, FMH19N60ES, FMH20N50E, FMH20N50ES, FMH21N50ES, FMH23N50ES, FMH23N60E, FMH23N60ES, IRFZ44, FMH28N50ES, FMH30N60S1, FMH47N60S1, FMI03N60E, FMI05N50E, FMI05N60E, FMI06N60ES, FMI07N50E
History: FDU3580
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48


