FMI20N50E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMI20N50E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMI20N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI20N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  fuji
 fmi20n50e.pdf pdf_icon

FMI20N50E

FMI20N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

 0.1. Size:497K  fuji
 fmi20n50es.pdf pdf_icon

FMI20N50E

FMI20N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack (L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.

Другие MOSFET... FMI12N50ES , FMI12N60ES , FMI13N60E , FMI13N60ES , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , 2N7000 , FMI20N50ES , FMI80N10T2 , FML12N50ES , FML12N60ES , FML13N60ES , FML16N50ES , FML16N60ES , FML20N50ES .

History: IRFP27N60K | WMM53N65C4 | 14N50L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.