FS10SM-10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FS10SM-10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для FS10SM-10
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FS10SM-10 даташит
Другие IGBT... FS100UMJ-03F, FS100VSJ-03F, FS10AS-06, FS10AS-2, FS10AS-3, FS10ASJ-06F, FS10ASJ-2, FS10ASJ-3, IRF1010E, FS10SM-12, FS10SM-16A, FS10SM-18A, FS10VS-9A, FS14SM-10, FS14SM-12, FS14SM-14A, FS14SM-16A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372

