FS18SM-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FS18SM-10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FS18SM-10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FS18SM-10 даташит

No data!

Другие IGBT... FS10VS-9A, FS14SM-10, FS14SM-12, FS14SM-14A, FS14SM-16A, FS14SM-9, FS16SM-10, FS16SM-9, 4N60, FS18SM-14A, FS18SM-9, FS30AS-06, FS30AS-2, FS30ASJ-06F, FS30ASJ-2, FS30KM-3, FS30KMJ-06F