FS50ASJ-03F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FS50ASJ-03F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm

Тип корпуса: MP-3A

Аналог (замена) для FS50ASJ-03F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FS50ASJ-03F даташит

 ..1. Size:114K  renesas
 fs50asj-03f.pdf pdf_icon

FS50ASJ-03F

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... FS30ASJ-06F, FS30ASJ-2, FS30KM-3, FS30KMJ-06F, FS30KMJ-2, FS30KMJ-3, FS30VSJ-3, FS3UM-16A, STF13NM60N, FS50KM-06, FS50KM-2, FS50KM-3, FS50KMJ-03F, FS50KMJ-06F, FS50KMJ-2, FS50KMJ-3, FS50SM-3