FS50SMJ-3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FS50SMJ-3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FS50SMJ-3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FS50SMJ-3 даташит

 ..1. Size:218K  renesas
 fs50smj-3.pdf pdf_icon

FS50SMJ-3

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:193K  renesas
 fs50sm-3.pdf pdf_icon

FS50SMJ-3

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... FS50KM-06, FS50KM-2, FS50KM-3, FS50KMJ-03F, FS50KMJ-06F, FS50KMJ-2, FS50KMJ-3, FS50SM-3, IRF1405, FS50UM-3, FS50UMJ-3, FS50VS-3, FS50VSJ-2, FS50VSJ-3, FS5AS-06, FS5AS-2, FS5AS-3