FS7VS-12A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FS7VS-12A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: LDPAK

Аналог (замена) для FS7VS-12A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FS7VS-12A даташит

 ..1. Size:219K  renesas
 fs7vs-12a.pdf pdf_icon

FS7VS-12A

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:449K  powerex
 fs5um fs5vs fs5km fs7um fs7vs fs7km fs10um fs10vs fs10km.pdf pdf_icon

FS7VS-12A

Другие IGBT... FS70UM-2, FS70UMJ-06F, FS70UMJ-2, FS70VS-06, FS70VS-2, FS70VSJ-06F, FS70VSJ-2, FS7KM-12A, IRF640, FSS264, FSS273, FSS275, FSS804, FTCO3V455A1, FTD2011, FTD2019, FTK3341L