FY6ACJ-03A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FY6ACJ-03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для FY6ACJ-03A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FY6ACJ-03A даташит
fy6acj-03a.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие MOSFET... FX70KMJ-03 , FX70SMJ-03 , FY10AAJ-03F , FY12AAJ-03F , FY14AAJ-03F , FY4ADJ-03A , FY4AEJ-03 , FY5ACJ-03F , SI2302 , FY7BCH-02F , FY8AAJ-03F , FY8ABJ-03 , IRF8252PBF , IRF8252PBF-1 , IRF8313PBF , IRF8327SPBF , IRF840ALPBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678

