IRF840LCPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF840LCPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRF840LCPBF
IRF840LCPBF Datasheet (PDF)
irf840lcpbf.pdf

PD - 94883IRF840LCPbF Lead-Free12/11/03Document Number: 91067 www.vishay.com1IRF840LCPbFDocument Number: 91067 www.vishay.com2IRF840LCPbFDocument Number: 91067 www.vishay.com3IRF840LCPbFDocument Number: 91067 www.vishay.com4IRF840LCPbFDocument Number: 91067 www.vishay.com5IRF840LCPbFDocument Number: 91067 www.vishay.com6IRF840LCPbFDocument Nu
irf840lc irf840lcpbf sihf840lc.pdf

IRF840LC, SiHF840LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 39 Extremely High Frequency OperationQgs (nC) 10 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 19 Com
irf840lcspbf irf840lclpbf.pdf

PD- 95759IRF840LCSPbFIRF840LCLPbF Lead-Free8/24/04Document Number: 91068 www.vishay.com1IRF840LCS/LPbFDocument Number: 91068 www.vishay.com2IRF840LCS/LPbFDocument Number: 91068 www.vishay.com3IRF840LCS/LPbFDocument Number: 91068 www.vishay.com4IRF840LCS/LPbFDocument Number: 91068 www.vishay.com5IRF840LCS/LPbFDocument Number: 91068 www.vishay.com
irf840lcs.pdf

PD- 93766IRF840LCS IRF840LCLHEXFET Power MOSFET Ultra Low Gate ChargeD Reduced Gate Drive RequirementVDSS = 500V Enhanced 30V VGS Rating Reduced CISS, COSS, CRSSRDS(on) = 0.85 Extremely High Frequency OperationG Repetitive Avalanche RatedID = 8.0ADescription SThis new series of low charge HEXFET power MOSFETsachieve significant lower gate charge over con
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet