IRF840LCPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF840LCPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRF840LCPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF840LCPBF даташит
irf840lcpbf.pdf
PD - 94883 IRF840LCPbF Lead-Free 12/11/03 Document Number 91067 www.vishay.com 1 IRF840LCPbF Document Number 91067 www.vishay.com 2 IRF840LCPbF Document Number 91067 www.vishay.com 3 IRF840LCPbF Document Number 91067 www.vishay.com 4 IRF840LCPbF Document Number 91067 www.vishay.com 5 IRF840LCPbF Document Number 91067 www.vishay.com 6 IRF840LCPbF Document Nu
irf840lc irf840lcpbf sihf840lc.pdf
IRF840LC, SiHF840LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 500 Reduced Gate Drive Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.85 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, Crss Qg (Max.) (nC) 39 Extremely High Frequency Operation Qgs (nC) 10 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 19 Com
irf840lcspbf irf840lclpbf.pdf
PD- 95759 IRF840LCSPbF IRF840LCLPbF Lead-Free 8/24/04 Document Number 91068 www.vishay.com 1 IRF840LCS/LPbF Document Number 91068 www.vishay.com 2 IRF840LCS/LPbF Document Number 91068 www.vishay.com 3 IRF840LCS/LPbF Document Number 91068 www.vishay.com 4 IRF840LCS/LPbF Document Number 91068 www.vishay.com 5 IRF840LCS/LPbF Document Number 91068 www.vishay.com
irf840lcs.pdf
PD- 93766 IRF840LCS IRF840LCL HEXFET Power MOSFET Ultra Low Gate Charge D Reduced Gate Drive Requirement VDSS = 500V Enhanced 30V VGS Rating Reduced CISS, COSS, CRSS RDS(on) = 0.85 Extremely High Frequency Operation G Repetitive Avalanche Rated ID = 8.0A Description S This new series of low charge HEXFET power MOSFETs achieve significant lower gate charge over con
Другие MOSFET... IRF8313PBF , IRF8327SPBF , IRF840ALPBF , IRF840APBF , IRF840ASPBF , IRF840B , IRF840LC , IRF840LCLPBF , STP65NF06 , IRF840LCSPBF , IRF840LPBF , IRF840PBF , IRF840SPBF , IRF8513PBF , IRF8707GPBF , IRF8707PBF , IRF8707PBF-1 .
History: IRF840ASPBF
History: IRF840ASPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet







