IRF8707GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8707GPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF8707GPBF
IRF8707GPBF Datasheet (PDF)
irf8707gpbf.pdf
PD - 96264IRF8707GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Ultra-Low Gate ImpedanceS D
irf8707gpbf.pdf
PD - 96264IRF8707GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Ultra-Low Gate ImpedanceS D
irf8707pbf-1.pdf
IRF8707PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 V AA1 8S DRDS(on) max 11.92 7(@V = 10V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D17.5(@V = 4.5V)GS4 5G DQg (typical) 6.2 nCSO-8ID Top View11.0 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingR
irf8707pbf.pdf
PD - 96118AIRF8707PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsAA1 8BenefitsS Dl Very Low Gate Charge 2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4
irf8707pbf.pdf
PD - 96118AIRF8707PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsAA1 8BenefitsS Dl Very Low Gate Charge 2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918