Справочник MOSFET. IRF8721GPBF

 

IRF8721GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF8721GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 229 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF8721GPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8721GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  international rectifier
 irf8721gpbf.pdf pdf_icon

IRF8721GPBF

PD - 96262IRF8721GPbFApplications HEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook ProcessorPower8.5m @VGS = 10V30V 8.3nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Low Gate Impedance S D4 5l Fully Chara

 7.1. Size:207K  international rectifier
 irf8721pbf-1.pdf pdf_icon

IRF8721GPBF

IRF8721PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 8.5 m2 7S D(@V = 10V)GS3 6Qg (typical) 8.3 nCS DID 4 5G D14 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Powerl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinou

 7.2. Size:229K  international rectifier
 irf8721pbf.pdf pdf_icon

IRF8721GPBF

PD - 97119IRF8721PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck VDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor8.5m30V :@VGS = 10V8.3nCPowerl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsAABenefits1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Low Gate Impedance45G Dl Ful

 7.3. Size:1491K  cn vbsemi
 irf8721tr.pdf pdf_icon

IRF8721GPBF

IRF8721TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = 10 V 1330 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.011 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STS6308

 

 
Back to Top

 


 
.