IRF9383MPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9383MPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9383MPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9383MPBF даташит

 ..1. Size:242K  international rectifier
 irf9383mpbf.pdf pdf_icon

IRF9383MPBF

IRF9383MPbF DirectFET P-Channel Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Applications l Isolation Switch for Input Power or Battery Application VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l High Side Switch for Inverter Applications -30V max 20V max 2.3m @-10V 3.8m @-4.5V Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Features and Benefits 67nC 29nC 9.4nC 315nC 59nC -1.8V l Environmentaly

 8.1. Size:308K  international rectifier
 irf9388pbf.pdf pdf_icon

IRF9383MPBF

PD - 97521 IRF9388PbF HEXFET Power MOSFET VDS -30 V VGS max 25 V RDS(on) max 11.9 m (@VGS = -10V) ID -12 A (@TA = 25 C) SO-8 Applications Adaptor Input Switch for Notebook PC Features and Benefits Resulting Benefits Features 25V VGS max Direct Drive at High VGS Industry-Standard SO8 Package Multi-Vendor Compatibility Environmentally Friendlier RoHS Compliant

 8.2. Size:244K  international rectifier
 irf9389pbf.pdf pdf_icon

IRF9383MPBF

IRF9389PbF HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 D1 VDS 30 -30 V 2 7 G1 D1 RDS(on) max 27 64 m 3 6 S2 D2 Qg (typical) 6.8 8.1 nC 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET ID Top View SO-8 6.8 -4.6 A (@TA = 25 C) Applications l High and Low Side Switches for Inverter l High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features Benefits High and low-side MOSFETs i

 8.3. Size:244K  international rectifier
 irf9389.pdf pdf_icon

IRF9383MPBF

IRF9389PbF HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 D1 VDS 30 -30 V 2 7 G1 D1 RDS(on) max 27 64 m 3 6 S2 D2 Qg (typical) 6.8 8.1 nC 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET ID Top View SO-8 6.8 -4.6 A (@TA = 25 C) Applications l High and Low Side Switches for Inverter l High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features Benefits High and low-side MOSFETs i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9317PBF, IRF9321PBF, IRF9328PBF, IRF9332PBF, IRF9333PBF, IRF9335PBF, IRF9358PBF, IRF9362PBF, IRFZ44, IRF9388PBF, IRF9389, IRF9392PBF, IRF9393PBF, IRF9395MPBF, IRF9410PBF, IRF9510SPBF, IRF9520NLPBF