Справочник MOSFET. SSH10N80

 

SSH10N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSH10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для SSH10N80

 

 

SSH10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  samsung
 ssh10n70 ssh10n80.pdf

SSH10N80 SSH10N80

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 ..2. Size:263K  semelab
 ssh10n80.pdf

SSH10N80 SSH10N80

 0.1. Size:256K  1
 ssh10n80a.pdf

SSH10N80 SSH10N80

N-CHANNEL POWER MOSFET SSH10N80AFEATURESBVDSS = 800V Avalanche Rugged TechnologyRDS(ON) = 0.95 Rugged Gate Oxide TechnologyID = 10A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current: 25A (Max.) @ VDS = 800V Lower RDS(ON): 0.746 (Typ.)1231. Gate 2. Drain 3. SourceABSOLUTE MAXIMUM RAT

 0.2. Size:211K  samsung
 ssh10n80a.pdf

SSH10N80 SSH10N80

SSH10N80AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.95 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 8.1. Size:205K  samsung
 ssh10n90a.pdf

SSH10N80 SSH10N80

SSH10N90AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 0.938 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char

 8.2. Size:923K  samsung
 ssh10n60a.pdf

SSH10N80 SSH10N80

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 25 (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 0.646 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: R6024ENZ1

 

 
Back to Top