SSH10N80 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SSH10N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SSH10N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 160 nC

Время нарастания (tr): 280 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для SSH10N80

SSH10N80 Datasheet (PDF)

1.1. ssh10n80.pdf Size:263K _upd-mosfet

1.2. ssh10n80a.pdf Size:211K _samsung

SSH10N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.95 Ω Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 Ω (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

1.3. ssh10n70 ssh10n80.pdf Size:294K _samsung