Справочник MOSFET. SSH10N80

 

SSH10N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SSH10N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 160 nC

Время нарастания (tr): 280 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для SSH10N80

 

 

SSH10N80 Datasheet (PDF)

1.1. ssh10n80.pdf Size:263K _upd-mosfet

SSH10N80
SSH10N80



1.2. ssh10n80a.pdf Size:211K _samsung

SSH10N80
SSH10N80

SSH10N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.95 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteris

 1.3. ssh10n70 ssh10n80.pdf Size:294K _samsung

SSH10N80
SSH10N80

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top