Справочник MOSFET. SSH10N80

 

SSH10N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SSH10N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 160 nC

Время нарастания (tr): 280 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для SSH10N80

 

 

SSH10N80 Datasheet (PDF)

1.1. ssh10n80.pdf Size:263K _upd-mosfet

SSH10N80
SSH10N80



1.2. ssh10n80a.pdf Size:211K _samsung

SSH10N80
SSH10N80

SSH10N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.95 Ω Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 Ω (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

 1.3. ssh10n70 ssh10n80.pdf Size:294K _samsung

SSH10N80
SSH10N80

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

1.4. ssh10n80.pdf Size:263K _semelab

SSH10N80
SSH10N80



Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top