SSH10N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSH10N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSH10N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH10N80 даташит

 ..1. Size:294K  samsung
 ssh10n70 ssh10n80.pdf pdf_icon

SSH10N80

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 ..2. Size:263K  semelab
 ssh10n80.pdf pdf_icon

SSH10N80

 0.1. Size:256K  1
 ssh10n80a.pdf pdf_icon

SSH10N80

N-CHANNEL POWER MOSFET SSH10N80A FEATURES BVDSS = 800V Avalanche Rugged Technology RDS(ON) = 0.95 Rugged Gate Oxide Technology ID = 10A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Lower RDS(ON) 0.746 (Typ.) 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 0.2. Size:211K  samsung
 ssh10n80a.pdf pdf_icon

SSH10N80

SSH10N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.95 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) 1.552 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9393PBF, IRF9395MPBF, IRF9410PBF, IRF9510SPBF, IRF9520NLPBF, IRF9520S, IRF9520SPBF, IRF9530-220M, IRF630, SSH11N90, SSH3N90, SSH4N55, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, SSH60N08