Справочник MOSFET. SSH8N80

 

SSH8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf pdf_icon

SSH8N80

 0.1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf pdf_icon

SSH8N80

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy

 9.1. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf pdf_icon

SSH8N80

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF2454A

 

 
Back to Top

 


 
.