Справочник MOSFET. SSH8N80

 

SSH8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для SSH8N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf pdf_icon

SSH8N80

 0.1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf pdf_icon

SSH8N80

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy

 9.1. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf pdf_icon

SSH8N80

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 , SSH8N70 , 8205A , SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H , SSM04N70BGP-A .

History: 2SK3371 | IRFBE30SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.