Справочник MOSFET. SSM03N70GH

 

SSM03N70GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM03N70GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SSM03N70GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM03N70GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  silicon standard
 ssm03n70gh ssm03n70gj.pdf pdf_icon

SSM03N70GH

SSM03N70GH/GJN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY BVDSS 600VDRDS(ON) 3.6Repetitive Avalanche Rated ID 3.3AFast Switching Speed GSimple Drive Requirement SDESCRIPTION GDS TO-252(H)The TO-252 package is universally preferred for all commercial- Industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The through-hole version

 5.1. Size:571K  silicon standard
 ssm03n70gp-h.pdf pdf_icon

SSM03N70GH

SSM03N70GP-HN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM03N70GP-H achieves fast switching performanceBVDSS 700Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 4.4is suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters, SMPS and general off-line switching circuits.I 2.5AD Pb-free; RoHS-compliant TO-220The SSM03N70G

Другие MOSFET... SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , SSI4N60B , IRF9540N , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H , SSM04N70BGP-A , SSM09N70GP-A , SSM09N90CGW , SSM09N90GW .

History: CS18N50F | UPA2754GR | PJS6405

 

 
Back to Top

 


 
.