SSM03N70GP-H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM03N70GP-H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM03N70GP-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM03N70GP-H даташит

 ..1. Size:571K  silicon standard
 ssm03n70gp-h.pdf pdf_icon

SSM03N70GP-H

SSM03N70GP-H N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM03N70GP-H achieves fast switching performance BVDSS 700V with low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 4.4 is suitable for high voltage applications such as AC/DC converters, SMPS and general off-line switching circuits. I 2.5A D Pb-free; RoHS-compliant TO-220 The SSM03N70G

 5.1. Size:181K  silicon standard
 ssm03n70gh ssm03n70gj.pdf pdf_icon

SSM03N70GP-H

SSM03N70GH/GJ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY BVDSS 600V D RDS(ON) 3.6 Repetitive Avalanche Rated ID 3.3A Fast Switching Speed G Simple Drive Requirement S DESCRIPTION G D S TO-252(H) The TO-252 package is universally preferred for all commercial- Industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The through-hole version

Другие IGBT... SSH60N08, SSH6N80, SSH8N70, SSH8N80, SSI2N60B, SSI4N60B, SSM03N70GH, SSM03N70GJ, 13N50, SSM04N70BGF-A, SSM04N70BGF-H, SSM04N70BGP-A, SSM09N70GP-A, SSM09N90CGW, SSM09N90GW, SSM1333GU, SSM2030GM