SSM2602Y - аналоги и даташиты транзистора

 

SSM2602Y - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSM2602Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для SSM2602Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM2602Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  silicon standard
 ssm2602y.pdf pdf_icon

SSM2602Y

SSM2602YN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETCapable of 2.5V gate drive BVDSS 20VSDLow on-resistance RDS(ON) 34mDSurface mount package ID 5.3AGDSOT-26DDescriptionThese Power MOSFETs from Silicon Standard utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistanceDin an extremely efficient and cost-effective device.The SOT-26 package

 7.1. Size:204K  silicon standard
 ssm2602gy.pdf pdf_icon

SSM2602Y

SSM2602GYN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20VSLower on-resistance DRDS(ON) 34mDSurface mount package ID 6.3ARoHS Compliant GDSOT-26 DDESCRIPTION Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques Dto achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness

 8.1. Size:215K  silicon standard
 ssm2603gy.pdf pdf_icon

SSM2602Y

SSM2603GYP-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY SBVDSS -20VSimple Drive Requirement DDRDS(ON) 65mSmall Package Outline Surface Mount Device GID -5.0ADSOT-26 DDESCRIPTION DAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. GThe

 8.2. Size:207K  silicon standard
 ssm2605gy.pdf pdf_icon

SSM2602Y

SSM2605GYP-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY SFast Switching Characteristic BVDSS -30VDLower Gate Charge D RDS(ON) 80mSmall Footprint & Low Profile Package G ID - 4ADSOT-26DDESCRIPTION Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques Dto achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and ost-effectiveness d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM2312GN , SSM2313GN , SSM2314GN , SSM2316GN , SSM2318GEN , SSM25T03GH , SSM25T03GJ , SSM2602GY , IRFB31N20D , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , SSM2761P-A , SSM3310GH , SSM3310GJ , SSM3J331R , SSM3J338R .

 

 
Back to Top

 


 
.