SSM2603GY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM2603GY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM2603GY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM2603GY даташит

 ..1. Size:215K  silicon standard
 ssm2603gy.pdf pdf_icon

SSM2603GY

SSM2603GY P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY S BVDSS -20V Simple Drive Requirement D D RDS(ON) 65m Small Package Outline Surface Mount Device G ID -5.0A D SOT-26 D DESCRIPTION D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. G The

 7.1. Size:152K  silicon standard
 ssm2603y.pdf pdf_icon

SSM2603GY

SSM2603Y P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Simple drive requirement BVDSS -20V S D Small package outline R 65m DS(ON) D Surface-mount device ID - 4.2A G D SOT-26 D Description D These power MOSFETs from Silicon Standard utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance in an extremely efficient and cost-effective device. G The SOT-2

 8.1. Size:207K  silicon standard
 ssm2605gy.pdf pdf_icon

SSM2603GY

SSM2605GY P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY S Fast Switching Characteristic BVDSS -30V D Lower Gate Charge D RDS(ON) 80m Small Footprint & Low Profile Package G ID - 4A D SOT-26 D DESCRIPTION Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques D to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and ost-effectiveness d

 8.2. Size:204K  silicon standard
 ssm2602gy.pdf pdf_icon

SSM2603GY

SSM2602GY N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V S Lower on-resistance D RDS(ON) 34m D Surface mount package ID 6.3A RoHS Compliant G D SOT-26 D DESCRIPTION Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques D to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM2313GN, SSM2314GN, SSM2316GN, SSM2318GEN, SSM25T03GH, SSM25T03GJ, SSM2602GY, SSM2602Y, P60NF06, SSM2603Y, SSM2605GY, SSM2761P-A, SSM3310GH, SSM3310GJ, SSM3J331R, SSM3J338R, SSM3K2615R