SSM3K56MFV - аналоги и даташиты транзистора

 

SSM3K56MFV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSM3K56MFV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm
   Тип корпуса: VESM
 

 Аналог (замена) для SSM3K56MFV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K56MFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  toshiba
 ssm3k56mfv.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56MFVMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56MFVSSM3K56MFVSSM3K56MFVSSM3K56MFV1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

 7.1. Size:198K  toshiba
 ssm3k56fs.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56FSMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56FSSSM3K56FSSSM3K56FSSSM3K56FS1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

 7.2. Size:208K  toshiba
 ssm3k56act.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56ACTMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56ACTSSM3K56ACTSSM3K56ACTSSM3K56ACT1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

 7.3. Size:203K  toshiba
 ssm3k56ct.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56CTMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56CTSSM3K56CTSSM3K56CTSSM3K56CT1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM3K324R , SSM3K335R , SSM3K336R , SSM3K337R , SSM3K339R , SSM3K35CTC , SSM3K56CT , SSM3K56FS , HY1906P , SSM3K59CTB , SSM3K72CTC , SSM40P03GH , SSM40P03GJ , SSM40T03GH , SSM40T03GJ , SSM40T03GP , SSM40T03GS .

History: SQ4470EY | SQ2362ES | RJK0353DPA | APT30M36LFLL | IRF9530NPBF | SSM4407GM | IRFM254

 

 
Back to Top

 


 
.