SSM3K56MFV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM3K56MFV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm

Тип корпуса: VESM

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM3K56MFV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K56MFV даташит

 ..1. Size:197K  toshiba
 ssm3k56mfv.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56MFV MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K56MFV SSM3K56MFV SSM3K56MFV SSM3K56MFV 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

 7.1. Size:198K  toshiba
 ssm3k56fs.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56FS MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K56FS SSM3K56FS SSM3K56FS SSM3K56FS 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

 7.2. Size:208K  toshiba
 ssm3k56act.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56ACT MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K56ACT SSM3K56ACT SSM3K56ACT SSM3K56ACT 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

 7.3. Size:203K  toshiba
 ssm3k56ct.pdf pdf_icon

SSM3K56MFV

SSM3K56CT MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K56CT SSM3K56CT SSM3K56CT SSM3K56CT 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3K324R, SSM3K335R, SSM3K336R, SSM3K337R, SSM3K339R, SSM3K35CTC, SSM3K56CT, SSM3K56FS, AOD4184A, SSM3K59CTB, SSM3K72CTC, SSM40P03GH, SSM40P03GJ, SSM40T03GH, SSM40T03GJ, SSM40T03GP, SSM40T03GS