Справочник MOSFET. SSM4509M

 

SSM4509M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM4509M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM4509M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  silicon standard
ssm4509m.pdfpdf_icon

SSM4509M

SSM4509GMN- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSN-CH BVDSS 30VSimple drive requirement D2D2D2 RDS(ON) 14mLow on-resistance D1D1D1D1ID 10AFast switching characteristicG2G2P-CH BVDSS -30VS2S2 G1SO-8 S1G1RDS(ON) 20mS1 DescriptionID -8.4AAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide theD2D1designer with the best combination

 8.1. Size:209K  silicon standard
ssm4500gm.pdfpdf_icon

SSM4509M

SSM4500GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 20VD2D2Simple Drive Requirement RDS(ON) 30mD1D1Low On-resistance ID 6AFast SwitchingG2P-CH BVDSS -20VS2G1SO-8S1RDS(ON) 50mDESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 8.2. Size:305K  silicon standard
ssm4502gm.pdfpdf_icon

SSM4509M

SSM4502GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D2 N-CH BVDSS 20VD2Simple Drive Requirement D1 RDS(ON) 18mD1Low Gate ChargeID 8.3AFast Switching Performance G2S2P-CH BVDSS -20VG1S1SO-8RDS(ON) 45mDESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switchin

 8.3. Size:293K  silicon standard
ssm4501gm.pdfpdf_icon

SSM4509M

SSM4501GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30VD2Simple Drive Requirement D2RDS(ON) 28mD1Low On-resistance D1ID 7AFast Switching G2P-CH BVDSS -30VS2G1SO-8RDS(ON) 50mS1DESCRIPTION ID -5.3AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching,

Другие MOSFET... SSM4424GM , SSM4426GM , SSM4435M , SSM4500GM , SSM4501GM , SSM4501GSD , SSM4502GM , SSM4507GM , IRFB4227 , SSM4513M , SSM4532GM , SSM4565M , SSM4575M , SSM4800AGM , SSM4816SM , SSM4835M , SSM4880AGM .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.