SSM4509M datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SSM4509M 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SSM4509M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSM4509M даташит
ssm4509m.pdf
SSM4509GM N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS N-CH BVDSS 30V Simple drive requirement D2 D2 D2 RDS(ON) 14m Low on-resistance D1 D1 D1 D1 ID 10A Fast switching characteristic G2 G2 P-CH BVDSS -30V S2 S2 G1 SO-8 S1G1 RDS(ON) 20m S1 Description ID -8.4A Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide the D2 D1 designer with the best combination
ssm4500gm.pdf
SSM4500GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 20V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 30m D1 D1 Low On-resistance ID 6A Fast Switching G2 P-CH BVDSS -20V S2 G1 SO-8 S1 RDS(ON) 50m DESCRIPTION ID -5A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, rug
ssm4502gm.pdf
SSM4502GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D2 N-CH BVDSS 20V D2 Simple Drive Requirement D1 RDS(ON) 18m D1 Low Gate Charge ID 8.3A Fast Switching Performance G2 S2 P-CH BVDSS -20V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 45m DESCRIPTION ID -5A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switchin
ssm4501gm.pdf
SSM4501GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30V D2 Simple Drive Requirement D2 RDS(ON) 28m D1 Low On-resistance D1 ID 7A Fast Switching G2 P-CH BVDSS -30V S2 G1 SO-8 RDS(ON) 50m S1 DESCRIPTION ID -5.3A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching,
Другие IGBT... SSM4424GM, SSM4426GM, SSM4435M, SSM4500GM, SSM4501GM, SSM4501GSD, SSM4502GM, SSM4507GM, 10N60, SSM4513M, SSM4532GM, SSM4565M, SSM4575M, SSM4800AGM, SSM4816SM, SSM4835M, SSM4880AGM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor
