Справочник MOSFET. SSM4835M

 

SSM4835M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM4835M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM4835M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  silicon standard
ssm4835m.pdfpdf_icon

SSM4835M

SSM4835MP-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFETSimple drive requirement BVDSS -30VDDLow on-resistance D RDS(ON) 20mDFast switching ID -8AGSSSO-8SDescriptionDPower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.SThe SO-8 package is widely p

 9.1. Size:283K  silicon standard
ssm4800agm.pdfpdf_icon

SSM4835M

SSM4800AGM N-Channel Enhancement ModePower MosfetPRODUCT SUMMARY DSimple Drive RequirementBVDSS 30VDDLow On-resistance RDS(ON) 18mDFast Switching CharacteristicID 9.4AGRoHS Compliant SSSO-8SDESCRIPTION DThe Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on

 9.2. Size:240K  silicon standard
ssm4880agm.pdfpdf_icon

SSM4835M

SSM4880AGMN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 30VDDFast switching, planar construction D RDS(ON) 9mDSimple drive requirement ID 13AGSSSO-8SDescriptionDPower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. GGSThe

 9.3. Size:372K  silicon standard
ssm4816sm.pdfpdf_icon

SSM4835M

SSM4816SMDUAL N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODES1/D2Simple drive requirement MOSFET-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2Suitable for DC-DC Converters R 22mDS(ON)D1Fast switching performance ID 6.7AG2MOSFET-2 BV 30VS2/ADSSS2/ASO-8R 13mG1DS(ON)Description ID 11.5AAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide D1the designer with the best combination of fa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDPF52N20T | AP2306CGN-HF | STU5N60M2 | STF2NK60Z | WMM180N03TS | TPC8049-H | FRF150R

 

 
Back to Top

 


 
.