IRF9Z20PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9Z20PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9Z20PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z20PBF даташит

 ..1. Size:1215K  vishay
 irf9z20pbf sihf9z20.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

IRF9Z20, SiHF9Z20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY P-Channel Versatility VDS (V) - 50 Available Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* Fast Switching COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 26 Low Drive Current Qgs (nC) 6.2 Ease of Paralleling Qgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 7.1. Size:415K  1
 irf9z20 irf9z22.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

 7.2. Size:1213K  vishay
 irf9z20 sihf9z20.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

IRF9Z20, SiHF9Z20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY P-Channel Versatility VDS (V) - 50 Available Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* Fast Switching COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 26 Low Drive Current Qgs (nC) 6.2 Ease of Paralleling Qgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 8.1. Size:97K  1
 irf9z25.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9640SPBF, IRF9910PBF-1, IRF9952QPBF, IRF9Z10PBF, IRF9Z14L, IRF9Z14LPBF, IRF9Z14PBF, IRF9Z14SPBF, 10N65, IRF9Z24L, IRF9Z24NLPBF, IRF9Z24NPBF, IRF9Z24NSPBF, IRF9Z24PBF, IRF9Z24SPBF, IRF9Z30PBF, IRF9Z34L