Справочник MOSFET. IRF9Z20PBF

 

IRF9Z20PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9Z20PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRF9Z20PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z20PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1215K  vishay
 irf9z20pbf sihf9z20.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 7.1. Size:415K  1
 irf9z20 irf9z22.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

 7.2. Size:1213K  vishay
 irf9z20 sihf9z20.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 8.1. Size:97K  1
 irf9z25.pdf pdf_icon

IRF9Z20PBF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF9640SPBF , IRF9910PBF-1 , IRF9952QPBF , IRF9Z10PBF , IRF9Z14L , IRF9Z14LPBF , IRF9Z14PBF , IRF9Z14SPBF , STP80NF70 , IRF9Z24L , IRF9Z24NLPBF , IRF9Z24NPBF , IRF9Z24NSPBF , IRF9Z24PBF , IRF9Z24SPBF , IRF9Z30PBF , IRF9Z34L .

History: TSM650P03CX

 

 
Back to Top

 


 
.