IRFAC40 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRFAC40 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO3
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRFAC40
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFAC40 даташит
irfac40.pdf
PD - 90587 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAC40 600V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAC40 600V 1.2 6.2 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig
irfac40 irfac42.pdf
IRFAC40, Semiconductor IRFAC42 6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, January 1998 N-Channel Power MOSFETs 6.2A and 5.4A, 600V Description rDS(ON) = 1.2 and 1.6 These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power Repetitive Avalanche Energy Rated MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a Simple
irfac30.pdf
PD -90513 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAC30 600V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAC30 600V 2.2 3.6 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design
Другие IGBT... IRF9Z30PBF, IRF9Z34L, IRF9Z34NLPBF, IRF9Z34NPBF, IRF9Z34NSPBF, IRF9Z34PBF, IRF9Z34SPBF, IRFAC30, AO3400A, IRFAC42, IRFAE30, IRFAE40, IRFAE50, IRFAF30, IRFAF50, IRFAG30, IRFAG40
History: AP10P10GJ | AP4606P | AP80N08D | DTG025N04NA | IXTQ152N085T | TSM3455CX6 | IRF3704ZCLPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor




