SSM5G06FE - аналоги и даташиты транзистора

 

 

SSM5G06FE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSM5G06FE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: 2-2P1C
 

 Аналог (замена) для SSM5G06FE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

SSM5G06FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  toshiba
 ssm5g06fe.pdf pdf_icon

SSM5G06FE

SSM5G06FE Silicon P-Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G06FE DC-DC Converter Applications Unit: mm Combined a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. 1.60.05 Optimum for high-density mounting in small packages 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET 1 5Characteristics Symbol Rating Unit2Drain-So

 8.1. Size:218K  toshiba
 ssm5g02tu.pdf pdf_icon

SSM5G06FE

SSM5G02TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G02TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre

 8.2. Size:306K  toshiba
 ssm5g09tu.pdf pdf_icon

SSM5G06FE

SSM5G09TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G09TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 8 VDC ID -1.5 Drain curre

 8.3. Size:205K  toshiba
 ssm5g04tu.pdf pdf_icon

SSM5G06FE

SSM5G04TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G04TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFAE30 , IRFAE40 , IRFAE50 , IRFAF30 , IRFAF50 , IRFAG30 , IRFAG40 , IRFAG50 , IRFB7545 , SSM5G09TU , SSM5G10TU , SSM5G11TU , SSM5H01TU , SSM5H05TU , SSM5H06FE , SSM5H07TU , SSM5H08TU .

 

 
Back to Top

 


 
.