SSM5H10TU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM5H10TU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.119 Ohm

Тип корпуса: 2-2R1A

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM5H10TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM5H10TU даташит

 ..1. Size:230K  toshiba
 ssm5h10tu.pdf pdf_icon

SSM5H10TU

SSM5H10TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS )/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H10TU DC-DC Converter Applications 1.5-V drive Unit mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 20 V Gate-sourc

 8.1. Size:201K  toshiba
 ssm5h12tu.pdf pdf_icon

SSM5H10TU

SSM5H12TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS )/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H12TU DC-DC Converter Applications 1.8-V drive Unit mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 30 V Gate-source

 8.2. Size:220K  toshiba
 ssm5h11tu.pdf pdf_icon

SSM5H10TU

SSM5H11TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS )/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H11TU DC-DC Converter Applications 4.0-V drive Unit mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS(ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 30 V Gate-source

 8.3. Size:192K  toshiba
 ssm5h16tu.pdf pdf_icon

SSM5H10TU

SSM5H16TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS )/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H16TU DC-DC Converter Applications 1.8-V drive Unit mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 30 V Gate-sourc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM5G09TU, SSM5G10TU, SSM5G11TU, SSM5H01TU, SSM5H05TU, SSM5H06FE, SSM5H07TU, SSM5H08TU, IRFP064N, SSM5H11TU, SSM5H12TU, SSM5H16TU, SSM5H90ATU, SSM5P15FE, SSM60T03GH, SSM60T03GJ, SSM60T03GP