Справочник MOSFET. SSM5H10TU

 

SSM5H10TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM5H10TU
   Маркировка: KES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.119 Ohm
   Тип корпуса: 2-2R1A

 Аналог (замена) для SSM5H10TU

 

 

SSM5H10TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  toshiba
 ssm5h10tu.pdf

SSM5H10TU SSM5H10TU

SSM5H10TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H10TU DC-DC Converter Applications 1.5-V drive Unit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 20 VGate-sourc

 8.1. Size:201K  toshiba
 ssm5h12tu.pdf

SSM5H10TU SSM5H10TU

SSM5H12TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H12TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-source

 8.2. Size:220K  toshiba
 ssm5h11tu.pdf

SSM5H10TU SSM5H10TU

SSM5H11TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H11TU DC-DC Converter Applications 4.0-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS(ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-source

 8.3. Size:192K  toshiba
 ssm5h16tu.pdf

SSM5H10TU SSM5H10TU

SSM5H16TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H16TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-sourc

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top