SSM9435GH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM9435GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-252
SSM9435GH Datasheet (PDF)
ssm9435gh ssm9435gj.pdf
SSM9435GH,JP-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS -30VDSimple drive requirement R 50mDS(ON)Fast switching ID -20AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM9435H is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC
ssm9435gm.pdf
SSM9435GMP-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM9435GM acheives fast switching performanceBVDSS -30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 50mis suitable for low voltage applications such as batterymanagement and general high-side switch circuits.I -5.3AD The SSM9435GM is supplied in an RoHS-compliantPb-free;
ssm9435gm.pdf
SSM9435GMwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop
ssm9435k.pdf
SSM9435KP-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSimple drive requirement BV -30VDSSDLow on-resistance R 50mDS(ON)SFast switching ID -6ADGSOT-223DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,G low on-resistance and cost-effectiveness.SAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Ratin
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918