SSTSD203 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSTSD203
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT-143
Аналог (замена) для SSTSD203
SSTSD203 Datasheet (PDF)
sd200dc sd201dc sd202dc sd203dc sstsd201 sstsd203.pdf

High-Speed AnalogN-Channel Enhancement-ModeLLCDMOS FETSSD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203FEATURES DESCRIPTION High gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0 dB min @ 1 GHz The SD200 series is manufactured utilizing Calogics Low Noise. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0 dB max @ 1 GHz proprietary DMOS design and processing techniques
Другие MOSFET... SST177 , SST4391 , SST4392 , SST4393 , SST440 , SST441 , SST4416 , SSTSD201 , 2N7000 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 , AFC1539 .
History: IPD135N08N3G | BL8N60-D | SSP4N60B | IPD220N06L3G | BL8N50-I | IXTH3N100P
History: IPD135N08N3G | BL8N60-D | SSP4N60B | IPD220N06L3G | BL8N50-I | IXTH3N100P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125